金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，法国原子能及替代能源委员会、意法半导体国际公司申请一项名为“制造方法”的专利，公开号 CN119923191A，申请日期为 2024 年 10 月。

　　专利摘要显示，本公开的实施例涉及制造方法。本描述涉及制造电子器件的方法，电子器件包括相变式存储器单元，方法包括：形成由电阻材料制成的第一层；在第一层上形成层的堆叠，堆叠包括由相变材料制成的至少一个第二层；蚀刻堆叠，所述蚀刻在第一层到达存储器单元的位置周围时停止；在堆叠的侧壁上形成间隔物；然后蚀刻第一层，使得堆叠位于第一层的中心部分上并且间隔物位于第一层的外围部分上。

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